晶闸管反向转折电压（晶闸管反向转折电压与反向峰值电压的）

晶闸管的工作原理是什么??

1、晶闸管是一种可控硅的整流器件。可以实现用小电压小电流来控制大电压电流，主要起到开关作用，与二极管相比，不同之处是正向导通首控制极电流控制。

2、晶闸管的工作原理基于其作为大功率整流元件的特点，它能够在交流电压固定的情况下，提供可变的直流输出电压。这种四层三端结构的半导体器件，通过控制触发角，即输入触发脉冲的时间，来调节负载上的直流电压。

3、晶闸管的原理是晶闸管是一种大功率的整流元件，它的整流电压可以控制，当供给整流电路的交流电压一定时，输出电压能够均匀调节，它是一个四层三端的半导体器件。

晶闸管的主要参数有哪些

为了正确选用晶闸管元件，必须要了解它的主要参数，一般在产品的目录上都给出了参数的平均值或极限值，产品合格证上标有元件的实测数据。　(1)断态重复峰值电压UDRM　在控制极断路和晶闸管正向阻断的条件下，可以重复加在晶闸管两端的正向峰值电压，其数值比正向转折电压小100V。

耐压 反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。触发电流 控制极触发电流（IGT)，俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。

KP50-300晶闸管是一种高压、高功率的晶闸管，主要用于交流电源控制、电机控制、电炉控制等领域，参数有额定电压3000V，额定电流50A，最大正向导通电压8V，最大反向阻断电压3000V，最大正向导通电流50A，最大正向导通电压降8V，最大反向漏电流10mA，最大正向导通功率5000W。

晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压VDRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流IG、门极反向电压和维持电流IH等。

单向晶闸管主要参数有额定正向平均电流，导通维持电流，门极触发电压，正向阻断峰值电压，反向阻断峰值电压。单向晶闸管可以根据其管脚的外形判别法和万用表进行识别。识别方法如下：外形判别法：利用单行晶闸管的外形结构特点来判别其引脚的极性。

晶闸管都有什么参数啊?什么叫晶闸管的关断时间啊?

1、晶闸管是过零关断，从发出关断指令到晶闸管实际关断的时间称为晶闸管关断时间。

2、晶闸管的主要参数包括正向转折电压、反向转折电压、正向电流、维持电流、断态电压临界上升率、通态电压临界上升率、通态平均电流、通态不重复浪涌电流、反向峰值电流、反向不重复浪涌电流、通态浪涌电流、反向浪涌电压、动态dv/dt耐量、通态电压、通态电阻、维持电压、断态重复峰值电压和反向重复峰值电压。

3、晶闸管的各相参数看，经常发生事故的参数有：电压、电流、dv/dt 、di/dt 、漏电、开通时间、关断 时间等，甚至有时控制极也可烧坏。

4、要使晶闸管导通，一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。参数说明 参数表中所给出的数据，ITSM、I2t、dv/dt、di/dt指的是元件所能满足的最小值， Qr、VTM、VTO、rT指元件可满足(不超过)的最大值。

晶闸管的静态特性

1、晶闸管的静态特性：当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通 。正常工作时的特性 当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通 。当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。

2、◇品名 = 1A四象限双向可控硅(TRIACs)☆型号 = MAC97A8 ◇电流 = 0（A）◇电压 = 600（V）◇结温 = 125（℃）◇封装形式 = TO-92 ◇管脚排列 = T1-T2-G 【主要用途】变频电路，调光、调温、调速电路，电扇、洗衣机、饮水机、微波炉、空调等家用电器的控制电路。

3、视电流容量大小，其开通时间为4～8微秒，关断时间为10～60微秒。主要用于较高频率的整流、斩波、逆变和变频电路。快速晶闸管是一个PNPN四层三端器件，其符号与普通晶闸管（见逆阻晶闸管）一样，它不仅要有良好的静态特性，尤其要有良好的动态特性。

4、正向导通特性 在通态中，IGBT可以按照“第一近似”和功率MOSFET驱动的PNP晶体管建模。图3所示是理解器件在工作时的物理特性所需的结构元件(寄生元件不考虑在内)。 如图所示，IC是VCE的一个函数(静态特性)，假如阴极和阳极之间的压降不超过0.7V，即使栅信号让MOSFET沟道形成(如图所示)，集电极电流IC也无法流通。

5、静态特性，描述了集电极电流IC与栅射电压UGE之间的关系。开启电压UGE(th)是IGBT实现电导调制并导通的最低栅射电压，随温度升高略有下降。IGBT的转移特性和输出特性如图所示。总结IGBT的特性与参数特点，包括：开关速度高，开关损耗小。

晶闸管具有什么导电特性

晶闸管的导电特性有：单向导电性、电压控制性、双向导电性、开关特性、耐压性。单向导电性 晶闸管具有单向导电性，即电流只能从一个方向通过。在正向电压下，电流从阳极流向阴极；而在反向电压下，电流无法从阴极流向阳极。这一特性使得晶闸管在电路中可以起到开关作用，控制电流的通断。

可观断晶闸管具有单向导电性。晶闸管（可控硅、SCR）具有单向导电性能，但与硅整流元件的特性不同，晶闸管的整流电压是可以控制的，并能以毫安级的电流控制很大的整流功率。此外，品闸管还具有响越理电可的饰、体批小零优点，故在可经经流，无的点开关，变软等电力线路及控制系能中被广泛选用。

晶闸管的特点是具有可控的单向导电，即与一般的二极管相比，可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流（电压）控制大电流（电压）作用，并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点，广泛用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。

晶闸管又叫可控硅，具有一个可控的控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。它和二极管一样是一种单方向导电的器件，晶闸管是可以处理耐高压、大电流的大功率器件，随着设计技术和制造技术的进步，越来越大容量化 。

硅整流就是利用可控硅整流元件[又叫晶闸管，英文缩写SCR，是一种大功率硅半导体器件。它具有同半导体二极管相似的单向导电特性，但它的导通可控制，所以说它是具有可控的单向导电特性的整流元件。利用它的特性，可以组成各种不同功能的装置]把交流电变换成大小可调的直流电。

单向晶闸管（也称为单向可控硅或单向可控整流二极管）是一种半导体器件，具有单向导电特性，只允许电流在一个方向上通过。它的工作原理基于PNPN结构。以下是单向晶闸管的工作原理和在电路中的作用：工作原理：单向晶闸管内部有四个层，交替排列的P型和N型半导体材料。

双向晶闸管反向击穿电压是多少

1、双向晶闸管的正向转折电压（即超过该电压时，晶闸管会从阻断状态进入导通状态）为400V左右，而其反向击穿电压为600V。

2、所以加了DB3，DB3是28V才双向导通的二极管；电容持续充电到28V，达到DB3击穿耐压，且DB3在28V导通后呈现负电阻特性，这时候可以形成很大的电流，可控硅瞬间打开，压降瞬间达到很低，发热低。且可控硅自身的IGT很大也可以工作，相对安全可靠。

3、设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0。晶闸管阳极电流为：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）。

4、经常在功率较大的放大电路，功率管的基极b与发射极e即发射结并联两个反向的二极管，这是通过对发射结输入电流的分流作用而起保护作用，两个二极管反向串联后对与之并联的电路可起过压保护作用，当电路过压时，二极管首先击穿短路。

5、具有一个可控的控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。它和二极管一样是一种单方向导电的器件，晶闸管是可以处理耐高压、大电流的大功率器件，随着设计技术和制造技术的进步，越来越大容量化 。晶闸管它主要有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。

标签： 晶闸管反向转折电压