晶闸管跟晶体管（晶闸管跟晶体管的区别）

电力晶体管和晶闸管是不是一回事?

1、结构不同 晶体管是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件）。晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极、阴极和门极。工作条件不同 晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快。晶晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流。

2、在电力电子中，三极管通常称作电力晶体管（GTR），它是由三层半导体（分别引出集电极C、基极B和发射集E）形成的两个PN结构成，多采用NPN结构。而晶闸管（SCR）内部是PNPN四层半导体结构，分别命名为PNPN2四个区。P1区引出阳极A，N2区引出阴极K，P2区引出门集G。四个区形成三个PN结。

3、电力晶体管按英文Giant Transistor直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor-BJT)，所以有时也称为Power BJT。其特性有：耐压高，电流大，开关特性好，但驱动电路复杂，驱动功率大；GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。

4、晶闸管（可控硅），它又有普通晶闸管、双向晶闸管属于半控型（控制导通、自然关断）电力电子器件，门极可关断晶闸管（GTO）属全控型电力电子器件。电力晶体管(GTR)，属于电流控制电流全控型电力电子器件。绝缘栅场效应管(PMOS)，属于电压控制电流全控型电力电子器件。

5、- SCR：晶闸管是一个双极器件，工作原理基于自维持的电流冲击触发。一旦触发，它会继续导通，直到电流降至或降为零。SCR只能导通电流在一个方向。- IGBT：IGBT是双极性器件，结合了双极晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）的特点。

6、常见的有GTO（可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管）、SITH（静电感应晶闸管）等。GTO耐压高（4500V）、电流大（5000A）。GTR具有控制方便、开关时间短、导通电压低、高频特性好等优点。SITH用棚极控制开通和关断，具有导通电阻小、导通电压低、开关速度快、功耗小、关断电流增益大等特点。

晶闸管。晶体管

1、结构不同 晶体管是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件）。晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极、阴极和门极。工作条件不同 晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快。晶晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流。

2、晶体管是一种多功能的固体半导体器件，能够执行检波、整流、放大、开关、稳压和信号调制等多种任务。作为可变开关，晶体管根据输入的电信号电压来控制流出电流，这使得它能够作为电流开关使用。

3、功能不一样：晶体管的功能是检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等。而普通晶闸管的功能则是可控整流。优点不一样：晶闸管的优点是以小电流（电压）控制大电流（电压）作用，并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等。

4、区别如下：晶体管能在完全导通至完全截止的范围内进行无级调节，而晶闸管不能。晶闸管触发导通后再切断控制信号，晶闸管仍能在一定时间内保持导通状态；而晶体管在控制信号失电后立即关断。与晶闸管相比，晶体管的开关时间短，动态性能较好，可在较高的工作频率下工作。

什么是晶体管,它与晶闸管有什么区别

晶体管与晶闸管的区别：晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。

结构不同 晶体管是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件）。晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极、阴极和门极。工作条件不同 晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快。晶晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流。

晶体管是一种多功能的固体半导体器件，能够执行检波、整流、放大、开关、稳压和信号调制等多种任务。作为可变开关，晶体管根据输入的电信号电压来控制流出电流，这使得它能够作为电流开关使用。

晶体管与晶闸管的区别：功能不一样：晶体管的功能是检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等。而普通晶闸管的功能则是可控整流。优点不一样：晶闸管的优点是以小电流（电压）控制大电流（电压）作用，并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等。

区别如下：晶体管能在完全导通至完全截止的范围内进行无级调节，而晶闸管不能。晶闸管触发导通后再切断控制信号，晶闸管仍能在一定时间内保持导通状态；而晶体管在控制信号失电后立即关断。与晶闸管相比，晶体管的开关时间短，动态性能较好，可在较高的工作频率下工作。

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