晶闸管常用的保护措施（晶闸管保护器的工作原理）

晶闸管模块晶闸管的保护

在晶闸管模块的保护措施中，过流保护是一个关键环节。推荐使用内置过流保护的模块，或者通过外接快速熔断器、过电流继电器和传感器实现。快速熔断器的选择需注意：熔断器的额定电压要高于模块输入电压，其额定电流应为模块标称输入电流的0.6倍，一般选择相同或稍大电流的熔断器。

用户也可根据经验和试验自行确定熔断器的额定电流。（2）接线方法：快速熔断器接在模块的输入端，负载接输出端。过压保护晶闸管承受过电压的能力较差，当元件承受的反向电压超过其反向击穿电压时，即使时间很短，也会造成元件反向击穿损坏。

对于大电流晶闸管模块，如超过5A，务必安装散热器，确保其在规定条件下得到充分冷却。在散热器与晶闸管接触面，应涂上一层有机硅油或硅脂，以增强散热效果。在主电路中，晶闸管模块必须配备过压和过流保护装置，以提供额外的保护措施。这些保护装置对于模块的长期稳定运行至关重要。

可控硅过电流的原因及保护方法?

产生过电流的原因多种多样，当变流装置内部元件损坏、控制或触发系统发生故障、可逆传动环流过大或逆变失败、交流电压过高、过低或缺相、负载过载等，均会引起装置中电力电子器件的电流超过正常工作电流。由于晶闸管的过流能力比一般电气设备低得多，因此，必须对晶闸管采取过电流保护措施。

双向可控硅属于NPNPN五层器件，三个电极分别是TTG。因该器件可以双向导通，故除门极G以外的两个电极统称为主端子，用TT2表示，不再划分成阳极或阴极。将带字的一面朝向自己，关键朝向，从左到右的管教分别是TTG。

原因分析：断水使可控硅工作结温急剧上升，致使可控硅击穿短路；可控硅管壳绝缘陶瓷圈表面有水珠或积尘导电，使阳极与阴极、门极与阴极之间 形成短路；可控硅绝缘底座积尘导电，使阳极或阴极对地短路；主回路过电流保护环节不起作用。

过电压通常采用在晶闸管（可控硅）两侧并联一阻容电路，其可以防止瞬间过电压，但不能解决长期过电压问题；长期过电压通常解决的方案是提高晶闸管（可控硅）耐压等级的数值。过电流通常采取快速熔断器来解决。

晶闸管阻容保护图及说明怎么接线法

1、看保护对象来区分：接触器线圈的阻尼吸收和小于10A电流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范畴；接触器触点和大于10A以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范畴。

2、将带字的一面朝向自己，关键朝向，从左到右的管教分别是TTG。

3、（2）接线方法：快速熔断器接在模块的输入端，负载接输出端。过压保护晶闸管承受过电压的能力较差，当元件承受的反向电压超过其反向击穿电压时，即使时间很短，也会造成元件反向击穿损坏。

标签： 晶闸管常用的保护措施