晶闸管是电压控制型吗（晶闸管属于电流型还是电压型）

晶闸管和IGBT有什么区别?

晶闸管（SCR）和IGBT（绝缘栅双极晶体管）都是功率半导体器件，用于电能控制和开关应用，但它们在工作原理、特性和应用方面存在一些关键区别： 工作原理：- SCR：晶闸管是一个双极器件，工作原理基于自维持的电流冲击触发。

IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。

晶闸管就是可控硅，是电流控制。IGBT是电压控制。

IGBT和晶闸管功能是不同的，IGBT是可关断的，晶闸管只能在电流过零时可关断，工作频率IGBT也比晶闸管高，应该说IGBT比晶闸管有更强的功能。要说那个更好用要看用在什么场合。

IGBT是电压型开关器件，晶闸管是电流型开关器件{晶闸管用在交流是自然关断，用在直流需要可关断型器件}。

晶闸管工作原理

1、晶闸管是一种可控硅的整流器件。可以实现用小电压小电流来控制大电压电流，主要起到开关作用，与二极管相比，不同之处是正向导通首控制极电流控制。

2、工作原理：单向晶闸管内部有四个层，交替排列的P型和N型半导体材料。这些层通过掺杂和加工形成PNPN结构，其中一个N-P结被激活，成为阳极（Anode），另一个P-N结成为阴极（Cathode）。

3、单结晶闸管是一种电子管，它具有单结晶结构，可以用来作为开关或控制信号的放大器。工作原理是利用结晶体管内部的晶体管效应。

下列电力电子元器件中,属于电压控制型的器件是()。

场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。

电压控制型器件：电力晶体管、绝缘栅双极晶体管。电流控制型器件：电力场效应晶体管。单相桥式整流电路中，晶闸管承受的最大正向电压和反向电压分别为sqrt(2)U/2和sqrt(2)U。

三极管是电流控制型元件，场效应管是电压控制型元件。相对而言，场效应管的输入电流小得多，所以是低功耗元器件。晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。

电压控制型器件是mosfet、igbt等，在其门极加一个电压高电平信号则其导通，当电压信号变低电平时，器件关断。电流控制型器件如三极管，对其基极注入一个电流，则三极管导通。

在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带窄。 40、场效应管从结构上分成结型FET和MOSFET两大类型，它属于电压控制型器件。 4场效应管属于电压控制电流型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是 电流控制电流型器件。

三极管和场效应管是在放大、开关电路中应用非常普遍的电子元件。

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